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公开/公告号CN113193060A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨理工大学;
申请/专利号CN202110473839.7
发明设计人 乔雅楠;李长明;
申请日2021-04-29
分类号H01L31/032(20060101);H01L31/043(20140101);H01L31/048(20140101);C09J123/08(20060101);C09J11/04(20060101);
代理机构
代理人
地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
入库时间 2023-06-19 12:02:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-28
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/032 专利申请号:2021104738397 申请公布日:20210730
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 具有拓扑绝缘体/电磁绝缘体异质结构的基于电压控制的磁性设备
机译: 基于拓扑绝缘体和绝缘耦合器材料的磁场传感器
机译:二维拓扑绝缘体的边缘和二维状态之间的电子散射及金属状态拓扑绝缘带的电导率
机译:二维反铁磁拓扑绝缘体中的鲁棒轴突绝缘体和Chern绝缘体相
机译:双(二硫代镍)镍复合π-纳米片的氧化还原控制和高电导率:一种潜在的有机二维拓扑绝缘体。
机译:二维六角形晶格拓扑绝缘体中光激发电子的反向散射禁止传输
机译:二维半导体和拓扑绝缘体的电子传输特性及其器件应用
机译:二维拓扑绝缘体中低于50 mT的新兴量子霍尔效应
机译:基于拓扑绝缘体的隧道磁阻器件: 采用铁磁体/绝缘体/拓扑 - 绝缘体结 碧$ _ {2} $硒$ _ {3} $
机译:用于拓扑绝缘体的基于汞的外延材料