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一种用于具有双面金属介质层之集成电路装置的背面接触电阻降低之制备方式

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摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于具有双面金属介质层之集成电路装置的背面接触电阻降低之制备方式；本发明包括基材，高电子迁移率电晶体，位于基材上且包括一单晶或多晶集成电路材料层，高电子迁移率电晶体包括栅极，在该栅极上方的Y或T型通道，以及与该通道相邻的源级、汲极(S/D)区域，源级区域包括第一参杂剂浓度，且汲极区域包括第二参杂剂浓度，在S/D区域的至少一者上方的一接触层，以及在接触层和该S/D区域的至少一者之间的一接触电阻降低层，接触电阻降低层包括第三参杂浓度；本发明能够有效地降低集成电路芯片寄生外部电阻，同时还有效地降低其制备工艺流程、生产成本和实施难度。

著录项

  • 公开/公告号CN113241378A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天健九方(西安)毫米波设计研究院有限公司;

    申请/专利号CN202110092316.8

  • 发明设计人 樊四虎;李强;

    申请日2021-01-24

  • 分类号H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/36(20060101);H01L21/335(20060101);H01L27/085(20060101);

  • 代理机构34155 合肥东邦滋原专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张海燕

  • 地址 710000 陕西省西安市高新区科技二路65号清华科技园D座14层1401室

  • 入库时间 2023-06-19 12:10:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 专利申请号:2021100923168 申请日:20210124

    实质审查的生效

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