公开/公告号CN113363079A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07
原文格式PDF
申请/专利号CN202010145025.6
申请日2020-03-04
分类号H01G11/24(20130101);H01G11/30(20130101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构
代理人
地址 200237 上海市徐汇区梅陇路130号
入库时间 2023-06-19 12:29:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-15
授权
发明专利权授予
机译: 形成Cu(In x Sub> Ga 1-x Sub>)S 2 Sub>和Cu(In x Sub> Ga 1-x Sub>)Se 2 Sub>纳米粒子
机译: Cu,In,一种制造含有Ga和Se元素的粉末的方法,以及Cu,In,Ga和Se含有一种Si元素的溅射靶。
机译: 生长单晶(Cu 1-x sub> Ag x sub>) 7 sub> GeSe 5 sub>的方法融合解决方案