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FinFET SRAM静态噪声容限的边界设计方法

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本发明提供一种FinFET SRAM静态噪声容限的边界设计方法，提供位于基底上沿纵向间隔排列的P型Fin结构和N型Fin结构，P型Fin结构位于N型Fin结构的一侧；Fin结构上覆盖有沿横向间隔排列的多个栅结构，并且沉积覆盖栅结构以及栅结构之间的Fin结构的TaN层；沉积第一金属功函数层；将位于P型Fin结构一侧的全部第一金属功函数层去除，暴露出的TaN层与剩余的第一金属功函数层的分界面位于N型Fin结构中与P型Fin分界处的第一个N型Fin结构上的中线位置；沉积覆盖暴露出的TaN层和剩余的第一金属功函数层的第二金属功函数层。本发明将N型Fin结构分为两个器件结构，其一半的阈值电压高，一半的阈值电压低，起到调制阈值电压的作用，有利于提高噪声容限。

著录项

公开/公告号CN113394220A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力集成电路制造有限公司;
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申请/专利号CN202110597289.X
发明设计人李勇;
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申请日2021-05-31
分类号H01L27/11(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人戴广志
地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2023-06-19 12:33:50

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