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具有通过鳍状桥接区耦合的垂直堆叠的纳米片的晶体管沟道

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摘要

本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区域和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，非平面沟道区被形成为具有第一半导体层(208)、第二半导体层(206)以及位于第一半导体层(208)与第二半导体层(206)之间的鳍状桥接层。形成所述非平面沟道区可以包括：在衬底(204)之上形成纳米片堆叠体；通过去除所述纳米片堆叠体的一部分来形成沟槽(502)；以及在所述沟槽(502)中形成第三半导体层(602)。所述第一半导体层(208)、所述第二半导体层(206)和所述鳍状桥区的外表面限定所述非平面沟道区的有效沟道宽度。

著录项

公开/公告号CN113491014A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN202080016969.1
发明设计人谢瑞龙;J.弗鲁吉尔;C.朴;E.诺瓦克;亓屹;程慷果;N.罗贝特;
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申请日2020-02-24
分类号H01L29/786(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人王蕊瑞
地址美国纽约阿芒克
入库时间 2023-06-19 12:48:23

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