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半导体装置中参数稳定的错位测量改善

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一种参数稳定的错位测量改善系统及方法包含：提供选自希望相同的一批晶片的晶片，包含形成在其上的多个多层半导体装置；使用错位计量工具来使用多个测量参数集在所述晶片的至少第一层与第二层之间的多个位点处测量错位，借此针对所述测量参数集中的每一者生成经测量错位数据；针对所述测量参数集中的每一者从所述晶片的所述经测量错位数据识别及移除参数相依部分及平均误差部分，借此生成所述晶片的经改善参数稳定的经改善错位数据。

著录项

公开/公告号CN113574643A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人科磊股份有限公司;
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申请/专利号CN201980093578.7
发明设计人 V·莱温斯基;Y·帕斯卡维尔;S·阿哈龙;A·玛纳森;
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申请日2019-08-23
分类号H01L21/66(20060101);H01L21/67(20060101);G01N21/95(20060101);G01N21/88(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人张世俊
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 13:02:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 专利申请号:2019800935787 申请日:20190823

实质审查的生效

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