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一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺

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本发明公开了一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：（1）获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息；（2）在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定一定方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤（1）获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；（3）在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。本发明工艺针对芯片焊盘存在沾污的情况，本发明的工艺方法可以快速、有效地解决芯片沾污问题，明显提高引线的键合拉力，对制程良率提升有显著作用,提高了封装器件的可靠性。

著录项

公开/公告号CN113658879A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-16

原文格式PDF
申请/专利权人江西万年芯微电子有限公司;
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申请/专利号CN202110791535.5
发明设计人艾育林;田光伟;
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申请日2021-07-13
分类号H01L21/60(20060101);
代理机构36111 南昌洪达专利事务所;
代理人刘凌峰
地址 335500 江西省上饶市万年县高新技术产业区丰收工业园
入库时间 2023-06-19 13:16:59

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