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一种仿刺参抗高温育种低密度12K SNP芯片及应用

摘要

本发明公开了一种仿刺参抗高温育种低密度12KSNP芯片及应用,包括(1)仿刺参全基因组范围的12KSNP芯片的开发:通过构件仿刺参抗高温群体,全基因组范围的SNP分型,对仿刺参12KSNP标记筛选,HD‑marker高密度芯片的设计和开发探针的设计进而获得12K位点的液相芯片池;(2)测试芯片的准确性和分型效果;本芯片可应用于仿刺参抗高温性状分子育种中的不同地理群体遗传背景分析、抗高温性状遗传力估计的应用以及抗高温性状的全基因组选择育种值分析(GS)。

著录项

  • 公开/公告号CN113684280A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110768559.9

  • 申请日2021-07-07

  • 分类号C12Q1/6888(20180101);C12Q1/6837(20180101);C12N15/11(20060101);

  • 代理机构37287 青岛博展利华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王于海

  • 地址 572000 海南省三亚市崖州湾科技城用友产业园1号楼7层

  • 入库时间 2023-06-19 13:23:06

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