首页> 中国专利> 碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法

碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法

摘要

本发明提供了碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法,制备碳化硅籽晶的方法包括:在碳化硅籽晶本体的背面形成硅层;在所述硅层远离所述碳化硅籽晶的表面形成预制碳层,所述预制碳层覆盖所述硅层远离所述碳化硅籽晶本体的表面;使所述预制碳层与所述硅层反应生成碳化硅过渡层和碳层,得到碳化硅籽晶。该方法步骤简单,操作方便,对设备和技术人员没有苛刻要求,且得到的碳化硅籽晶可以有效缓解界面处的应力差异,使得界面处的结合更为牢固,同时显著改善了因为润湿性和热膨胀率差异导致的碳层脱落问题,进而可以有效提高采用该碳化硅籽晶生长的碳化硅晶体的质量。

著录项

  • 公开/公告号CN113897684A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 比亚迪股份有限公司;

    申请/专利号CN202010575275.3

  • 发明设计人 蔡凯;郭少聪;王军;周维;

    申请日2020-06-22

  • 分类号C30B35/00(20060101);C30B29/36(20060101);C23C14/18(20060101);C23C14/58(20060101);C30B23/00(20060101);C30B28/12(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王佳璐

  • 地址 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

  • 入库时间 2023-06-19 13:35:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B35/00 专利申请号:2020105752753 申请日:20200622

    实质审查的生效

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号