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高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

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本发明公开了一种高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷，其组成表达式为aMgSiO3‑bMgTiO3‑cZnTiO3‑dLiNdTi2O6‑eCaTiO3，其中，a、b、c、d和e分别独立表示摩尔百分比，并满足以下条件：10mol％≤a≤20mol％，65mol％≤b≤75mol％，2mol％≤c≤10mol％，2mol％≤d≤10mol％，5mol％≤e≤10mol％，a+b+c+d+e＝100mol％。本发明还公开了该高温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷的制备方法。该微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能，其烧结温度低，并兼具较高的Q值和近零的可调频率温度系数，温度稳定性好，且制备原料无毒、价格低廉，制备工艺简单。

著录项

公开/公告号CN113896524A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-07

原文格式PDF
申请/专利权人无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司;
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申请/专利号CN202111368483.7
发明设计人吉岸;王晓慧;金镇龙;
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申请日2021-11-18
分类号C04B35/465(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构32293 苏州国诚专利代理有限公司;
代理人李小叶
地址 214177 江苏省无锡市惠山区中恵路518-3号
入库时间 2023-06-19 13:35:32

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2023-05-05

授权

发明专利权授予

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