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一种基于n-ZnO/PEDOT/HfO2/p-GaN的紫外激光二极管及制备方法

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本发明公开了一种基于n‑ZnO/PEDOT/HfO2/p‑GaN的紫外激光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒、p‑GaN薄膜、PEDOT薄膜、HfO2薄膜、PMMA保护层和金属电极；方法包括如下步骤：采用磁控溅射法在p‑GaN薄膜上沉积一定厚度的HfO2薄膜，然后在HfO2薄膜上旋涂PEDOT薄膜，再旋涂分散了ZnO纳米棒的乙醇溶液，加热烘干，旋涂PMMA保护层，至PMMA保护层漫过n‑ZnO纳米棒，加热使PMMA保护层凝固，然后利用氧等离子体刻蚀，将PMMA保护层刻蚀至n‑ZnO纳米棒露出，分别在p‑GaN薄膜和n‑ZnO纳米棒上制备金属电极，构成完整的器件。本发明能够有效降低界面处的光学损耗，增加载流子注入效率，实现电场驱动下的紫外激光行为。

著录项

公开/公告号CN114024212A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-08

原文格式PDF
申请/专利权人东南大学;
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申请/专利号CN202111214135.4
发明设计人徐春祥;李竹新;石增良;刘威;
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申请日2021-10-19
分类号H01S5/327(20060101);H01S5/323(20060101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人王安琪
地址 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
入库时间 2023-06-19 14:06:32

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法律状态
2022-02-08

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发明专利申请公布

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1. 一种基于n-ZnO/PEDOT/HfO2/p-GaN的紫外激光二极管及制备方法 [P] . 中国专利： CN114024212A . 2022-02-08
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