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单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列

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本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体埋层、主动区及N型堆栈层。主动区包括第一P型半导体井层、第一N型半导体井层、第二P型半导体井层、二个阳极及P型外延层。第一P型半导体井层配置于N型半导体埋层上，第一N型半导体井层配置于第一P型半导体井层上。第二P型半导体井层配置于第一N型半导体井层上，此二个阳极配置于第二P型半导体井层上的相对两侧。P型外延层连接第一P型半导体井层及第二P型半导体井层。N型堆栈层配置于主动区旁，且配置于N型半导体埋层上。一种单光子雪崩二极管阵列亦被提出。

著录项

公开/公告号CN114038865A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11

原文格式PDF
申请/专利权人神盾股份有限公司;
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申请/专利号CN202111308721.5
发明设计人吴劲昌;谢晋安;陈经纬;
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申请日2021-11-05
分类号H01L27/144(20060101);H01L31/107(20060101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人易皎鹤
地址中国台湾新竹市东区慈云路118号30楼之1(邮递区号300)
入库时间 2023-06-19 14:09:38

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法律状态
2022-02-11

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