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一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件及其制造方法

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本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。

著录项

公开/公告号CN114078966A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-22

原文格式PDF
申请/专利权人复旦大学;
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申请/专利号CN202010811911.8
发明设计人冯黎;周德金;黄伟;卢红亮;张卫;
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申请日2020-08-13
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构31204 上海德昭知识产权代理有限公司;
代理人卢泓宇
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2023-06-19 14:14:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 专利申请号:2020108119118 申请日:20200813

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