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单光子雪崩二极管和光电探测器阵列

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本公开涉及单光子雪崩二极管和光电探测器阵列。该单光子雪崩二极管包括：第一类型衬底；第二类型外延层，设置于第一类型衬底的一侧；在第二类型外延层的背离第一类型衬底的一侧形成凹坑，在凹坑内、沿第一类型衬底指向第二类型外延层的方向依次设置的第一类型轻掺杂层、第一类型掺杂层和第一类型重掺杂层；第二类型重掺杂埋层，设置在凹坑底部中心位置处，且位于第一类型轻掺杂层与第二类型外延层的交界凹陷内；其中，位于第二类型重掺杂层环周的第一类型轻掺杂层形成保护环；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。由此，通过设置保护环围绕掺杂层的环周设置，能够降低击穿概率，提升填充因子，以提高探测效率。

著录项

公开/公告号CN114093962A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-25

原文格式PDF
申请/专利权人季华实验室;
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申请/专利号CN202111386184.6
发明设计人兰潇健;马静;刘超晖;马四光;
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申请日2021-11-22
分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/107(20060101);H01L27/146(20060101);
代理机构11710 北京开阳星知识产权代理有限公司;
代理人郝瑞刚
地址 528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
入库时间 2023-06-19 14:15:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 专利申请号:2021113861846 申请日:20211122

实质审查的生效

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