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RC IGBT、生产RC IGBT的方法和控制半桥电路的方法

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摘要

RC IGBT、生产RC IGBT的方法和控制半桥电路的方法。一种RC IGBT（1）包括具有IGBT区段（1‑21）和二极管区段（1‑22）的有源区（1‑2）。在RC IGBT（1）的多个控制沟槽（14、15）中，存在多个IGBT控制电极（141）和与IGBT控制电极（141）电绝缘的多个等离子体控制电极（151），IGBT控制电极（141）和等离子体控制电极（151）中的每个与RC IGBT（1）的两个负载端子（11、12）电隔离。IGBT区段（1‑21）包括IGBT控制电极（141）的第一子集和等离子体控制电极（151）的第一子集。二极管区段（1‑22）包括等离子体控制电极（151）的第二子集。

著录项

  • 公开/公告号CN114256341A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202111121396.1

  • 发明设计人 R·巴布尔斯克;

    申请日2021-09-24

  • 分类号H01L29/739(20060101);H01L21/331(20060101);H02M1/00(20070101);H02M1/08(20060101);H02M1/088(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张凌苗;周学斌

  • 地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号

  • 入库时间 2023-06-19 14:42:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-29

    公开

    发明专利申请公布

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