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micro-LED显示矩阵制备方法及micro-LED显示矩阵

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本申请涉及一种micro‑LED显示矩阵制备方法，包括：获取半导体材料层；半导体材料层用于形成micro‑LED阵列，包括依次设置的第一类型半导体、第二类型半导体以及第一衬底；在半导体材料层制备与第一类型半导体接触的第一电极；将制备完第一电极的半导体材料层进行第二电极制备预处理，以使第二类型半导体无衬底覆盖；在半导体材料层制备与第二类型半导体接触的第二电极，得到micro‑LED显示矩阵；其中，第一电极用于连接micro‑LED阵列中同一行/列的micro‑LED单元，第二电极用于连接micro‑LED阵列中同一列/行的micro‑LED单元；避免了现有单片集成方案需要将金属触点对准键合的难点，改变了巨量转移方案带来的芯片间距空隙过大和TFT背板的电流耐受问题，显著提升中型显示屏的亮度。

著录项

公开/公告号CN114725149A

专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-08

原文格式PDF
申请/专利权人湖南大学;
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申请/专利号CN202210202459.4
发明设计人潘安练;
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申请日2022-03-02
分类号H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62;
代理机构华进联合专利商标代理有限公司;
代理人潘宏洲
地址 410013 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门
入库时间 2023-06-19 15:55:34

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法律状态
2022-07-08

公开

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