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工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法

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摘要

本发明公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法，该工艺腔室包括：腔体，沿腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；内衬组件上沿内衬组件的周向设有多个贯穿内衬组件侧壁的第一开孔；沉积阻挡环上沿沉积阻挡环的周向设有多个贯穿沉积阻挡环侧壁的第二开孔；腔体的内侧壁上沿腔体的周向设有与多个第一开孔相对的加热灯组件；当基座带动沉积阻挡环上升至第一工艺位时，第二开孔与第一开孔相互错开；当基座带动沉积阻挡环上升至第二工艺位时，第二开孔与第一开孔至少部分重叠，且第二工艺位高于第一工艺位。本发明能够消除回流工艺中的滑片与碎片风险。

著录项

  • 公开/公告号CN115083964A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京北方华创微电子装备有限公司;

    申请/专利号CN202210761295.9

  • 发明设计人 兰玥;

    申请日2022-06-30

  • 分类号H01L21/67;H01L21/768;

  • 代理机构北京思创毕升专利事务所;

  • 代理人廉莉莉

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

  • 入库时间 2023-06-19 16:54:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-20

    公开

    发明专利申请公布

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