• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法

反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明提供一种反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法，所述反熔丝存储器件的制造方法包括：提供一衬底；在第一阱区上形成反熔丝栅结构；形成图形化的掩模层，覆盖反熔丝栅结构及其两侧的第一阱区；执行轻掺杂离子注入工艺；去除第一掩模层，执行源漏离子注入工艺，以在反熔丝栅结构两侧的第一阱区中形成源漏掺杂区，反熔丝栅结构两侧的源漏掺杂区在所述第一阱区形成穿通。本发明中，通过在反熔丝栅结构两侧的阱区不形成源漏轻掺杂区而直接形成源漏掺杂区，利用该源漏掺杂区形成穿通，增大读取电流，从而减少因读出电流较小所引起的缺陷，以提高制造良率，并且相较于其他解决方案，还具有简单易行、低成本的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN115101478A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN202210761888.5

  • 发明设计人 凌周轩;余快;梁肖;孙琪;

    申请日2022-06-29

  • 分类号H01L21/8239;H01L27/112;

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周耀君

  • 地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-06-19 16:56:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-23

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号