公开/公告号CN115413271A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-11-29
原文格式PDF
申请/专利权人 AGC硅素技术株式会社;
申请/专利号CN202180028000.0
发明设计人 村上武司;
申请日2021-04-07
分类号C01B33/18;A61K8/02;A61K8/25;A61L27/02;A61L27/12;A61L27/32;A61L27/42;A61Q1/00;A61Q1/12;A61Q11/00;B01J20/04;B01J20/10;C01B25/32;
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人胡烨;刘多益
地址 日本福冈县
入库时间 2023-06-19 17:46:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-29
公开
国际专利申请公布
机译: 羟基磷灰石支撑多孔二氧化硅颗粒,制备羟基磷灰石支撑多孔二氧化硅颗粒的方法,以及包含羟基磷灰石载体的多孔二孔颗粒的组合物
机译: 二氧化硅细砂纸,多孔性二氧化钛担载基团硝基粘土及其制造方法
机译: 无机多孔材料的制造方法及由金属粒子担载的无机材料