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a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法

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本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E₂声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KOH溶液腐蚀实验、去污处理和腐蚀后的拉曼散射测试，得到腐蚀后E₂声子模的频移值；最后根据a面GaN外延层薄膜样品在腐蚀前后E₂频移值偏移量的大小ΔE₂，利用公式σ_xx＝ΔE₂/k，其中k为常数，计算a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的大小。由于本发明对a面GaN外延层薄膜进行腐蚀前后两次拉曼散射测试，消除了常规拉曼表征法中衬底对a面GaN外延层薄膜应力的影响，且计算出的外延层薄膜腐蚀应力误差较小，可应用于各种不同结构a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的表征。

著录项

公开/公告号CN102359956B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-12

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201110293524.0
发明设计人郝跃;王党会;许晟瑞;张进城;张金凤;毕志伟;毛维;马晓华;赵胜雷;薛晓咏;艾姗;
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申请日2011-10-02
分类号G01N21/65(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华;朱红星
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 09:14:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-12-28

专利权的转移 IPC(主分类):G01N 21/65 登记生效日:20161208 变更前: 变更后: 申请日:20111002

专利申请权、专利权的转移
2013-06-12

授权

授权
2012-04-04

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/65 申请日:20111002

实质审查的生效
2012-02-22

公开

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