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热电子发射极和包括这种热电子发射极的X射线源

摘要

提议了一种热电子发射极(1),其包括:包括可加热的平的发射表面(3)的内部部分(2)和包括基本包围所述发射表面的周围表面(6)的外部部分(4)以及用于将所述发射表面加热至进行热电子发射的温度的加热布置。所述外部部分在远离所述发射表面的连接区域(10)中机械连接至所述内部部分。此外,所述周围表面在远离所述连接区域的隔离区域中例如通过间隙(14)与所述发射表面热隔离。通过提供包围所述发射表面的周围表面,可以获得改进的电子发射分布和均匀性,其中所述周围表面可以与所述发射表面处于相近的电势,但可以具有比所述发射表面充分更低的温度而不影响所述发射表面中的温度分布。

著录项

  • 公开/公告号CN101755321B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 皇家飞利浦电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200880100019.6

  • 发明设计人 S·胡特曼;

    申请日2008-07-17

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人王英

  • 地址 荷兰艾恩德霍芬

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-17

    授权

    授权

  • 2010-09-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 35/06 申请日:20080717

    实质审查的生效

  • 2010-06-23

    公开

    公开

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