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等离子体刻蚀模拟中最大离子边界角的测量方法

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本发明公开了一种等离子体刻蚀模拟中最大离子边界角的测量方法，经一次匀胶和两次曝光操作制作负性光刻胶悬空结构，以此悬空结构作为掩膜进行刻蚀实验，通过对实验结果进行形貌分析，并借助于在同一个实验片上同时制作的负性光刻胶粘附结构对各种结构尺寸进行实时在线的精确测量，获得一定刻蚀实验参数设置下的最大离子边界角，用于实现等离子体刻蚀模型中“模型参数”的标定。该方法简单异性，准确度高，且实验流程周期短、成本低，提高了等离子体刻蚀模型及其软件实现的普遍适用性。

著录项

公开/公告号CN102320563B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN201110196224.0
发明设计人陈兢;胡佳;
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申请日2011-07-13
分类号
代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李稚婷
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 09:18:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-04-16

授权

授权
2012-03-14

实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 99/00 申请日:20110713

实质审查的生效
2012-01-18

公开

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