首页> 中国专利> 集成电荷传感器的纳米流体通道及基于该纳米流体通道的方法

集成电荷传感器的纳米流体通道及基于该纳米流体通道的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供了一种电探测器，其包括集成有电荷传感器的纳米流体通道。所述电荷传感器可为纳米管、纳米线、晶体管或电容，并且可以是碳、硅、碳/硅或其他半导体材料。纳米通道的深度与德拜屏蔽距离接近。本发明还提供了以电探测器探测带电分子或生物或化学物类的方法。溶液中的带电分子或物类被驱动通过电探测器的纳米通道，并与电荷传感器接触，从而产生可探测到的信号。本发明还提供了检测局部溶液电势的方法。流经电探测器纳米通道的溶液与电荷传感器接触，从而产生可探测到的局部溶液电势信号。

著录项

公开/公告号CN102150037B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-06-04

原文格式PDF
申请/专利权人康奈尔大学;
展开▼

申请/专利号CN200980135361.4
发明设计人 J·T·曼尼安;H·C·克莱格海德;
展开▼

申请日2009-07-09
分类号C12Q1/68(20060101);G01N27/00(20060101);G01N27/02(20060101);G01N27/414(20060101);B82B3/00(20060101);G01N33/48(20060101);
代理机构11111 北京万慧达知识产权代理有限公司;
代理人葛强;邬玥
地址美国纽约州
入库时间 2022-08-23 09:19:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-04

授权

授权
2011-09-21

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/00 申请日:20090709

实质审查的生效
2011-08-10

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 集成电荷传感器的纳米流体通道及基于该纳米流体通道的方法 [P] . 中国专利： CN102150037B . 2014.06.04
2. 使用受控击穿在微流体通道内集成纳米孔传感器 [P] . 中国专利： CN107250782B . 2020.09.22
3. NANOFLUIDIC CHANNELS WITH INTEGRATED CHARGE SENSORS AND METHODS BASED THEREON [P] . 美国专利： US2011227558A1 . 2011-09-22

机译：集成电荷传感器的纳米流体通道和基于该通道的方法
4. NANOFLUIDIC CHANNELS WITH INTEGRATED CHARGE SENSORS AND METHODS BASED THEREON [P] . 世界知识产权组织专利： WO2010044932A3 . 2010-08-12

机译：集成电荷传感器的纳米流体通道和基于该通道的方法
5. NANOFLUIDIC CHANNELS WITH INTEGRATED CHARGE SENSORS AND METHODS BASED THEREON [P] . 世界知识产权组织专利： WO2010044932A9 . 2010-06-17

机译：集成电荷传感器的纳米流体通道和基于该通道的方法