• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 锗硅BiCMOS中的横向齐纳二极管结构及其实现方法

锗硅BiCMOS中的横向齐纳二极管结构及其实现方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明公开了一种锗硅BiCMOS中的横向齐纳二极管结构及其实现方法，该结构包括：P型衬底，浅槽区填充氧化物，浅槽区填充氧化物上按由下往上依次形成的第一氧化硅层、第一多晶硅层、SiGe层、第一氧化硅介质层和第一氮化硅介质层，N区，P区，N区上形成的第二氧化硅介质层和第二氮化硅介质层，重掺杂的发射极多晶硅层、发射极侧墙；其实现方法主要在于：1)N区：掺杂条件与锗硅HBT三极管的集电区注入一致；2)P区：是重掺杂，工艺条件与锗硅HBT的外基区注入一致；3)P区位于N区的两侧，N区通过重掺杂的发射极多晶硅引出。本发明实现了与锗硅BiCMOS工艺的完全集成，为锗硅BiCMOS的电路设计提供稳压器件。

著录项

  • 公开/公告号CN103035749B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201210008189.X

  • 发明设计人 石晶;刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;

    申请日2012-01-12

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人高月红

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-08

    授权

    授权

  • 2014-02-12

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/866 变更前: 变更后: 登记生效日:20140115 申请日:20120112

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-05-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/866 申请日:20120112

    实质审查的生效

  • 2013-04-10

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号