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锗硅功率HBT、其制造方法及锗硅功率HBT多指器件

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摘要

本发明公开了一种锗硅功率HBT，由低掺杂N型外延工艺制备集电区C，它的底部由重N型掺杂的埋层引出；基区B由重掺杂硼的锗硅外延层组成；发射区E由淀积在基区上的介质经刻蚀形成窗口，再淀积N型掺杂的多晶硅形成；外基区多晶硅下的场氧底部通过P型离子注入和高温退火，将N型外延转化为P型单晶硅。本发明还公开了锗硅功率HBT多指器件，结构采用CBEBE…BEBC或CEBECEBE…CEBEC的形式。本发明还公开一种硅功率HBT的制造方法。本发明P型离子注入区与器件外面的P型离子注入隔离区不连通，极大地降低基极-集电极介质电容；多指结构可最佳化大输出功率器件的基极和/或集电极电阻，以及基极-集电极结电容，得到最大输出功率及功率增益。

著录项

  • 公开/公告号CN103107185B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201110355672.0

  • 发明设计人 周正良;李昊;

    申请日2011-11-11

  • 分类号H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/737(20060101);H01L21/331(20060101);H01L27/082(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁纪铁

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-08

    授权

    授权

  • 2014-02-05

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 变更前: 变更后: 登记生效日:20140108 申请日:20111111

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20111111

    实质审查的生效

  • 2013-05-15

    公开

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