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一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法

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本发明公开了一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法。该方法在多种相变材料在水平金属电极间的高精度自对准制备的基础上，通过加电脉冲控制全限制量子点的相变，并且采用TEM对相变过程进行实时监测、记录，从而能够实时检测各量子点的相变，近似地模拟相同尺寸下垂直结构PCRAM的相变过程。

著录项

公开/公告号CN103105325B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-05-06

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201310038944.3
发明设计人付英春;王晓峰;季安;杨富华;
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申请日2013-01-31
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人宋焰琴
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:25:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-03-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 1/28 授权公告日:20150506 终止日期:20160131 申请日:20130131

专利权的终止
2015-05-06

授权

授权
2013-06-12

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 1/28 申请日:20130131

实质审查的生效
2013-05-15

公开

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