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接合线与半导体芯片之间具有接合连接的功率半导体装置

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本发明涉及接合线与半导体芯片之间具有接合连接的功率半导体装置。本发明涉及在接合线(9)和功率半导体芯片(10)之间的接合连接。功率半导体芯片(10)具有半导体本体(1)，在该半导体本体(1)中布置带有在横向方向(r)上相继地布置并且电并联连接的多个单元(15)的有源单元区域(12)。半导体本体(1)具有在垂直于横向方向(r)的垂直方向(v)上布置在有源单元区域(12)之上的表面区段(11′)。金属化层(20)被涂敷到表面区段(11′)上，接合线(9)被接合到金属化层(20)上。接合线(9)由包含重量百分比为至少99的铝(91)以及至少一个其它的合金成分(92)的合金制成。铝(91)具有平均颗粒大小()小于2μm的颗粒结构。

著录项

公开/公告号CN102034776B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-03

原文格式PDF
申请/专利权人英飞凌科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201010501846.5
发明设计人 T·古特;R·罗特;D·西佩;
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申请日2010-09-30
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人胡莉莉
地址德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
入库时间 2022-08-23 09:26:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-03

授权

授权
2012-05-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20100930

实质审查的生效
2011-04-27

公开

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