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在原子层沉积系统中抑制过量前体在单独前体区之间运送

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用于ALD薄膜沉积的系统和方法200，300包括一种用于在涉及多个单独前体区214、216、314、316的基于平移的工艺中从基板210、310的表面移除过量非化学吸附前体的机构280，380。根据本公开的过量前体移除机构280，380可引入局部高温条件、高能条件、或者过量前体的共沸物，以在其到达单独前体区之前释放过量前体，由此抑制了CVD沉积发生、而不会造成基板的热引起的降解。

著录项

公开/公告号CN102639749B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-17

原文格式PDF
申请/专利权人莲花应用技术有限责任公司;
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申请/专利号CN201080056514.9
发明设计人 E.R.迪基;W.A.贝罗;
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申请日2010-10-14
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人彭武
地址美国俄勒冈州
入库时间 2022-08-23 09:26:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-17

授权

授权
2012-11-21

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/44 申请日:20101014

实质审查的生效
2012-08-15

公开

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1. 在原子层沉积系统中抑制过量前体在单独前体区之间运送 [P] . 中国专利： CN102639749B . 2015.06.17
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