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多芯片组件同质键合系统质量一致性改进方法

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摘要

本发明公开了多芯片组件同质键合系统质量一致性改进方法，该方法在原有工艺的厚膜电阻修调并测试完毕后，增加金厚膜键合区表面局部化学机械抛光工艺，具体是：选择贵金属抛光液，通过局部抛光机对每个键合区进行抛光，使其表面平整度≤0.1μm；然后用机械掩模方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在键合区表面形成一层铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在成膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合。此类器件应用领域广泛，特别适用于大功率、高可靠、宇航级等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103107105B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 贵州振华风光半导体有限公司;

    申请/专利号CN201210533083.1

  • 发明设计人 杨成刚;苏贵东;

    申请日2012-12-12

  • 分类号

  • 代理机构贵阳中工知识产权代理事务所;

  • 代理人刘安宁

  • 地址 550018 贵州省贵阳市新添大道北段238号

  • 入库时间 2022-08-23 09:26:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-24

    授权

    授权

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20121212

    实质审查的生效

  • 2013-05-15

    公开

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