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用于改善的传感器灵活性和改善的气隙性能的AMR阵列磁性设计

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摘要

本发明公开了一种用于改善的传感器灵活性和改善的气隙性能的AMR阵列磁性位置感测系统。可以将一对磁铁封闭在沿着路径移动且位于AMR位置传感器阵列之上的磁铁载体中。所述磁铁一般遍及磁铁的长度被磁化，并且所述磁铁被设置在载体中，使得磁铁之间的角以与由AMR位置传感器的表面上的AMR条形成的角类似的方式存在以产生其磁通线。AMR位置传感器与均匀的磁通线接触以感测与磁铁载体相关联的直线和角位置的变化。由AMR位置传感器生成的输出信号对气隙的变化具有较低的敏感度，因为由磁铁产生的磁通线的角不随着气隙变化而变。

著录项

  • 公开/公告号CN102066965B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 霍尼韦尔国际公司;

    申请/专利号CN200980122477.4

  • 发明设计人 A.德米特里夫;K.E.范奥斯特兰;

    申请日2009-06-14

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人李娜

  • 地址 美国新泽西州

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-22

    授权

    授权

  • 2011-07-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/09 申请日:20090614

    实质审查的生效

  • 2011-05-18

    公开

    公开

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