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CMP终点检测方法与相变存储器底部接触结构形成方法

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摘要

本发明提供一种相变存储器底部接触结构的形成方法，包括：提供表面形成有至少两个导电插塞结构的晶片；在该晶片的表面依次淀积刻蚀终止层、第一介电层、第二金属层；光刻、刻蚀第二金属层、第一介电层与刻蚀终止层形成开口，该开口的两个相对的侧壁分别落在两个导电插塞上；淀积第一金属层；去除相邻导电插塞之间的第一金属层；淀积第二介电层，填充所述开口；依次研磨第二介电层、第一金属层、第二金属层形成相变存储器底部接触结构，所述研磨过程中，采用感应电流法检测研磨终点。本发明还提供一种化学机械研磨终点的检测方法，不限于相变存储器底部接触结构的制作。采用本发明的技术方案，对研磨终点的判断准确，且对硬件的要求低。

著录项

  • 公开/公告号CN103187328B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201110446097.5

  • 发明设计人 朱普磊;蒋莉;黎铭琦;曹均助;

    申请日2011-12-27

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:28:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-08-05

    授权

    授权

  • 2013-07-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20111227

    实质审查的生效

  • 2013-07-03

    公开

    公开

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