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公开/公告号CN102611394B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-19
原文格式PDF
申请/专利权人 联芯科技有限公司;
申请/专利号CN201110023278.7
发明设计人 李海松;崔福良;王伟;
申请日2011-01-20
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人崔志毅
地址 201206 上海市浦东新区明月路1258号
入库时间 2022-08-23 09:28:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-19
授权
2012-09-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 1/26 申请日:20110120
实质审查的生效
2012-07-25
公开
机译: 具有多模功率放大器级的前端系统和低噪声放大器的过载保护
机译: 具有线性低噪声放大器和注入锁定振荡器功率放大器级的前端系统
机译: 具有可变增益的推挽低噪声放大器,具有公共栅极偏置电路的推挽低噪声放大器和具有辅助匹配的放大器
机译:高稳健的X波段准循环 - 集成低噪声放大器,用于射频前端系统的高生存能力
机译:具有三级协调技术的三级3.1 -10.6 GHz低噪声放大器,具有高增益和平坦增益,使用1.8 V电源消耗3.7 mw的功率
机译:具有45nm平面Bulk-CMOS技术的1V 23GHz低噪声放大器,具有高于IC的电感器
机译:K频段可变增益低噪声放大器,65nm CMOS中具有低相变的低噪声放大器
机译:具有温度补偿偏置的900MHz低噪声放大器
机译:宽带低温微波低噪声放大器
机译:具有双反馈的1.2 V低噪声放大器,具有高增益和低噪声系数
机译:可重配置三波段mm波低噪声放大器。