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具有改进的暗电流性能的图像传感器

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摘要

本发明提供了半导体图像传感器器件。图像传感器器件包括半导体衬底，其包括阵列区域和黑电平校正区域。阵列区域包括多个辐射感测像素。黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。衬底具有前侧和背侧。图像传感器器件包括形成在衬底背侧的第一压缩应力层。第一压缩应力层包括氮化硅。图像传感器器件包括形成与压缩应力层上的金属防护罩。金属防护罩形成在黑电平校正区域的至少一部分上。图像传感器器件包括形成在金属防护罩以及第一压缩应力层上的第二压缩应力层。第二压缩应力层包括氧化硅。金属防护罩的侧壁由第二压缩应力层保护。本发明还公开了具有改进的暗电流性能的图像传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN103107175B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-10-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201210239820.7

  • 发明设计人 翁伟智;黄薰莹;张永承;卓金鸿;

    申请日2012-07-10

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:30:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-28

    授权

    授权

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20120710

    实质审查的生效

  • 2013-05-15

    公开

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