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具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体

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摘要

本发明涉及具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体。可形成具有在硫属化物膜与另一膜之间的梯度膜的含硫属化物半导体装置。所述梯度膜可使其硫属化物浓度随着其延伸远离所述硫属化物膜而减小，而另一膜材料的浓度跨越所述梯度膜的厚度随移动远离所述硫属化物膜而增加。

1. 具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体 [P] . 中国专利： CN102468438B . 2015.11.25
2. 用于生长过渡金属二硫属化物层的方法、过渡金属二硫属化物生长装置以及用于形成半导体装置的方法 [P] . 中国专利： CN111542641A . 2020-08-14
3. Chalcogenide containing semiconductor having a chalcogenide gradient [P] . 日本专利： JP5636617B2 . 2014-12-10

机译：具有硫属化物梯度的含硫属化物的半导体
4. Chalcogenide Containing Semiconductors with Chalcogenide Gradient [P] . 美国专利： US2012119177A1 . 2012-05-17

机译：含硫属化物梯度的含硫属化物的半导体
5. CHALCOGENIDE CONTAINING SEMICONDUCTORS WITH CHALCOGENIDE GRADIENT [P] . 韩国专利： KR101317966B1 . 2013-10-14

机译：含硫属化物梯度的含硫属半导体的半导体