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非易失性存储元件、其制造方法、非易失性存储装置和非易失性存储元件的设计支援方法

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本发明的非易失性存储元件，包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的氧含有率比第1过渡金属氧化物(116b)的氧含有率低，过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)与第1电阻变化层(1161)相接。

著录项

公开/公告号CN103229299B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-25

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
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申请/专利号CN201180013542.7
发明设计人早川幸夫;三河巧;二宫健生;
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申请日2011-11-24
分类号H01L27/105(20060101);G11C11/15(20060101);G11C29/56(20060101);H01L45/00(20060101);H01L49/00(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汪惠民
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:31:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-19

专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/105 登记生效日:20200601 变更前: 变更后: 申请日:20111124

专利申请权、专利权的转移
2015-11-25

授权

授权
2013-08-28

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/105 申请日:20111124

实质审查的生效
2013-07-31

公开

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