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AZO-黑硅异质结太阳能电池及制备方法

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摘要

本发明公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。本发明的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。

著录项

  • 公开/公告号CN102820348B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏洋;

    申请/专利号CN201210311075.2

  • 发明设计人 夏洋;

    申请日2012-08-28

  • 分类号

  • 代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司;

  • 代理人赵芳

  • 地址 100029 北京市朝阳区华严里27号楼4门511号

  • 入库时间 2022-08-23 09:33:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-13

    授权

    授权

  • 2013-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0352 申请日:20120828

    实质审查的生效

  • 2012-12-12

    公开

    公开

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