首页> 中国专利> 一种X波段宽带高增益、低交极比双极化微带天线阵列

一种X波段宽带高增益、低交极比双极化微带天线阵列

摘要

本发明公开了一种X波段宽带高增益、低交极比双极化微带天线阵列,所述的双极化微带天线阵列依次由:左手材料覆层、倒置的寄生贴片层、Rohacell31HF泡沫支撑层、含辐射单元的天线水平极化共面波导馈电层、天线垂直极化缝隙耦合馈电层、微带天线阵固定腔体、金属反射板和射频连接器组组成。本发明采用光子晶体结构、左手材料覆层等新技术,再通过增加寄生贴片及对天线阵馈电网络的巧妙设计,使其具有宽频带、高隔离度、高增益、低交叉极化电平和低栅瓣电平等良好的电气性能,同时重量轻、轮廓低、制造简单、易与有源器件相结合。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-02

    授权

    授权

  • 2014-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q21/00 申请日:20130912

    实质审查的生效

  • 2014-01-08

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号