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一种镧系氧化物栅氧浅沟槽结构

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摘要

本实用新型涉及一种镧系氧化物栅氧浅沟槽结构，属于开关型沟槽栅功率器件的沟槽栅结构。这种镧系氧化物栅氧浅沟槽结构能够有效降低其等效电学厚度，从而增加器件的电流导通能力，有利于提高p-body的浓度和降低p-body的深度而保持器件的阈值电压不变，有利于进一步减小沟槽的深度而不会影响到击穿电压，有利于进一步地降低沟槽的纵横比，从而进一步地减小沟槽的宽度，进一步实现元胞在尺寸上的缩减。另外，p-body的浓度的提高以及深度的降低，还有利于降低主要由p-body构成的杂散电阻，从而有利于遏制器件的栓锁效应，并从根本上提高器件在高于雪崩耐量的冲击下的安全特性。从而整体上有利于元胞在尺寸上的继续缩减，有利于降低器件所占用的晶圆面积，降低器件加工成本。

著录项

  • 公开/公告号CN202523716U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2012-11-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201220083656.0

  • 发明设计人 瞿学选;金秀梅;唐祯安;

    申请日2012-03-07

  • 分类号

  • 代理机构大连星海专利事务所;

  • 代理人花向阳

  • 地址 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-21 23:36:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/739 授权公告日:20121107 终止日期:20130307 申请日:20120307

    专利权的终止

  • 2012-11-07

    授权

    授权

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