首页> 中国专利> 具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置

具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置。该半导体存储装置包括：第一区块，其包括多个单元矩阵；第二区块，其包括多个单元矩阵；和共用的熔丝组件，其由第一和第二区块共用，被配置为在第一区块或第二区块被使能并且使能的区块中包括缺陷单元矩阵时输出缺陷指示信号。

著录项

公开/公告号CN102110476B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-05-04

原文格式PDF
申请/专利权人海力士半导体有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201010141479.2
发明设计人金贵东;权奇昌;
展开▼

申请日2010-03-26
分类号G11C17/16(20060101);G11C17/18(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人杨林森;康建峰
地址韩国京畿道利川市
入库时间 2022-08-23 09:39:15

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-05-04

授权

授权
2013-01-09

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 17/16 申请日:20100326

实质审查的生效
2011-06-29

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置 [P] . 中国专利： CN102110476B . 2016.05.04
2. 具有多个非易失性半导体存储单元的存储装置及其用于在具有较高残留寿命长度的存储单元中放置热数据而在具有较低残留寿命长度的存储单元中放置冷数据的控制方法 [P] . 中国专利： CN104115109A . 2014-10-22
3. Semiconductor memory device having redundancy circuit for repairing defective unit cell, and method for repairing defective unit cell [P] . 美国专利： US8134879B2 . 2012-03-13

机译：具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置和修复缺陷单位单元的方法
4. Semiconductor memory device including a redundancy circuitry for repairing a defective memory cell and a method for repairing a defective memory cell [P] . 美国专利： US5146429A . 1992-09-08

机译：包括用于修复有缺陷的存储单元的冗余电路的半导体存储装置以及用于修复有缺陷的存储单元的方法
5. Circuit with row redundancy for semiconductor memory device for repairing or replacing a defective cell of a memory cell array [P] . 法国专利： FR2688328A1 . 1993-09-10

机译：具有用于半导体存储器件的行冗余的电路，用于修复或替换存储单元阵列的有缺陷的单元

获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号