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一种倒置生长InAlAsP/InGaAs/Ge三结光伏电池

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本实用新型涉及一种倒置生长InAlAsP/InGaAs/Ge三结光伏电池，具体为在所述生长衬底上表面通过光刻工艺定义并刻蚀出连续二阶凹槽结构；依次外延出InAlAsP子电池、InGaAs子电池、Ge子电池；在整个结构表面上利用CVD方法快速沉积Ge键合层，并平坦化；提供另一衬底，并通过键合工艺键合到所诉平坦化Ge键合层上；刻蚀掉生长衬底完成衬底的转移，本方法简单，效率高，通过本方法制备出的InAlAsP/InGaAs/Ge三子结光伏电池具有高光电转换效率和收集效率，特别的对自然光线具有有效的限域作用。

著录项

公开/公告号CN204243067U

专利类型实用新型
公开/公告日2015-04-01

原文格式PDF
申请/专利权人六安市大宇高分子材料有限公司;
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申请/专利号CN201420526038.8
发明设计人司红康;马梅;谢发忠;
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申请日2014-09-15
分类号
代理机构
代理人
地址 237000 安徽省六安市集中示范园区桑河路
入库时间 2022-08-22 00:32:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/0725 授权公告日:20150401 终止日期:20180915 申请日:20140915

专利权的终止
2015-04-01

授权

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