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用于减小高-k介电层和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级牵制的（110）表面定向

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本发明公开了一种具有改进的器件性能的器件及其制造方法。示例性器件包括III-V族化合物半导体衬底，该III-V族化合物半导体衬底包括具有（110）晶体定向的表面、以及设置在III-V族化合物半导体衬底上方的栅叠层。栅叠层包括：设置在具有（110）晶体定向的表面上方的高-k介电层、以及设置在高-k介电层上方的栅电极。本发明还提供了用于减小高-k介电层和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级牵制的（110）表面定向。

著录项

公开/公告号CN103123930B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-05-25

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN201210167343.8
发明设计人郑兆钦;柯志欣;万幸仁;
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申请日2012-05-25
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:40:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-05-25

授权

授权
2013-06-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20120525

实质审查的生效
2013-05-29

公开

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