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一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池

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摘要

本实用新型公开了一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、具有应变结构的DBR1、中电池、第二隧穿结、具有应变结构的DBR2、顶电池和N型接触层。本实用新型中电池采用InxGa1‑xAs材料，禁带宽度1.1～1.4eV，顶电池采用GayIn1‑yP材料，禁带宽度为1.6～1.9eV，采用DBR1和DBR2的形式释放应力和过滤位错，可以极大改善传统的直接生长缓冲层带来的应力释放不完全的问题，有效解决外延片的翘曲状况，同时改善外延生长的厚度及掺杂的均匀性，提高太阳电池的成品率及性能；另一方面，由于采用DBR1和DBR2的过渡形式，可以提高电池对太阳光的吸收，提高抗辐照性能。

著录项

  • 公开/公告号CN207320146U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌凯迅光电有限公司;

    申请/专利号CN201721055690.6

  • 发明设计人 张银桥;潘彬;

    申请日2017-08-22

  • 分类号

  • 代理机构江西省专利事务所;

  • 代理人殷勇刚

  • 地址 330038 江西省南昌市红谷滩新区怡园路999号联泰香域中央西区3-1-1102

  • 入库时间 2022-08-22 04:51:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-04

    授权

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