首页> 中国专利> 无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路、芯片

无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路、芯片

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本实用新型公开了一种无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路、芯片，其中，无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路，包括依次连接的启动电路单元、反馈回路单元、微电流源单元、带隙基准单元；启动电路单元采用稳压二极管结构，作为带隙基准源电路的输入级；反馈回路单元采用NPN管作为反馈回路，用于将输出电压反馈到微电流源单元的电流输入端；微电流源单元采用三极管的比例电流镜结构，用于将输出电流输入到带隙基准单元的输入端；带隙基准单元采用NPN管对输出电流进行处理，并输出输出电压。本实用新型简化了设计结构，从而提高了芯片加工的成功率。

著录项

公开/公告号CN207337259U

专利类型实用新型
公开/公告日2018-05-08

原文格式PDF
申请/专利权人成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学;
展开▼

申请/专利号CN201721448627.9
发明设计人聂海;王银;
展开▼

申请日2017-11-02
分类号
代理机构成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人韩晓银
地址 610093 四川省成都市高新区九兴大道10号1幢
入库时间 2022-08-22 04:54:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-08

授权

授权

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路、芯片 [P] . 中国专利： CN207337259U . 2018.05.08
2. 一种无运放高电源抑制比带隙基准源电路 [P] . 中国专利： CN104977970A . 2015-10-14
3. CMOS bandgap reference source circuit with low flicker noises [P] . 美国专利： US8315074B2 . 2012-11-20

机译：具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
4. CMOS Bandgap Reference Source Circuit with Low Flicker Noises [P] . 美国专利： US2011043184A1 . 2011-02-24

机译：低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
5. The startup circuit of the band gap die reference voltage circuit which [P] . 日本专利： JP4315724B2 . 2009-08-19

机译：带隙芯片基准电压电路的启动电路