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电容孔的制备过程中的叠层结构层及电容孔结构

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本实用新型提供一种半导体存储器电容孔的制备过程中的叠层结构层及电容孔结构，叠层结构层包括：半导体衬底；辅助叠层结构层，包括刻蚀停止层及至少一层介质层和至少一层支撑层；图形化的多晶硅层，形成于叠层结构层表面，包括若干个沿第一方向平行间隔排布的第一间距倍增单元及若干个沿第二方向平行间隔排布的第二间距倍增单元，第二方向与第一方向间具有相交角度，相邻第一间距倍增单元间产生第一间隙，相邻第二间距倍增单元间产生第二间隙。本实用新型利用两个方向分别形成侧壁层进行图形加倍达到图形微缩，控制双方向的尺寸，达到良好的均匀性，通过刻蚀工艺以及刻蚀设备等改进，克服了电容尺寸缺陷，对结构层进行改进，达到更好的选择比。

著录项

公开/公告号CN208589410U

专利类型实用新型
公开/公告日2019-03-08

原文格式PDF
申请/专利权人长鑫存储技术有限公司;
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申请/专利号CN201820845358.8
发明设计人不公告发明人;
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申请日2018-06-01
分类号
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人佟婷婷
地址 230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
入库时间 2022-08-22 08:24:41

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2019-03-08

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