首页> 中国专利> 直径转变的直拉单晶硅生长方法

直径转变的直拉单晶硅生长方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种直径转变的直拉单晶硅生长方法；包括如下步骤：A、根据晶棒从头至尾轴向电阻率分布情况以及不同尺寸硅片的电阻率需求情况，设定需要转变的单晶直径大小以及一个开始直径转变的单晶等径长度L；B、进行正常的直拉单晶硅生产，包括熔料、稳温、引晶、放肩以及转肩步骤；C、根据步骤A设定的直径转变大小和直径转变长度，进行第一个等径生长步骤，当第一个等径生长步骤的单晶等径生长至指定长度L时，开始进行直径转变；D、单晶硅的直径转变为需要的直径后，再进行下一个等径生长步骤；E、单晶硅棒的长度达到生产要求后进行收尾过程。

著录项

公开/公告号CN103290470B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-29

原文格式PDF
申请/专利权人杭州海纳半导体有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201310191294.6
发明设计人潘金平;王伟棱;郑欢欣;邵晓安;应路路;郑春松;饶伟星;王飞尧;
展开▼

申请日2013-05-21
分类号
代理机构杭州中成专利事务所有限公司;
代理人金祺
地址 310052 浙江省杭州市滨江区信诚路99号
入库时间 2022-08-23 09:43:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-10

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 15/22 变更前: 变更后: 申请日:20130521

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-06-29

授权

授权
2013-10-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/22 申请日:20130521

实质审查的生效
2013-09-11

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 直径转变的直拉单晶硅生长方法 [P] . 中国专利： CN103290470B . 2016.06.29
2. 抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长方法及装置 [P] . 中国专利： CN1046972C . 1999.12.01
3. Czochralski growing apparatus suppressing growth striation of long large- diameter monocrystalline silicon [P] . 美国专利： US5827366A . 1998-10-27

机译：直拉生长装置抑制长大直径单晶硅的生长条纹
4. METHOD FOR PREPARATION OF CRUCIBLE FOR GROWTH OF MONOCRYSTAL INGOT OF LARGE DIAMETER BY CZOCHRALSKI METHOD [P] . UA103707C2 . 2013-11-11

机译：直拉法制备大直径单晶硅的坩埚生长方法
5. METHODS FOR GROWING A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT USING CONTINUOUS CZOCHRALSKI METHOD [P] . 美国专利： US2020332439A1 . 2020-10-22

机译：连续直拉法生长单晶硅锭的方法