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防止半导体集成电路中等离子体导致的栅极介电层损害的天线单元设计

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本发明提供了一种防止等离子体增强栅极介电层失效的天线单元。天线单元设计利用多晶硅引线作为伪晶体管的栅极。多晶硅引线可以是一组平行内嵌的多晶硅引线中的一条。伪晶体管包括通过金属引线直接地或者通过钳低单元间接地耦合至保持在Vss的衬底的栅极。栅极设置在源极和漏极连接在一起的连续源极/漏极掺杂区上方的介电层上方。二极管由半导体衬底形成，其中，二极管形成在半导体衬底中。源极/漏极区耦合至可以是输入引脚的另一条金属引线并耦合至有源晶体管栅极，以防止等离子体增强对有源晶体管的栅极介电层的损害。防止半导体集成电路中等离子体导致的栅极介电层损害的天线单元设计。

著录项

公开/公告号CN103165602B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-20

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN201210477419.7
发明设计人杨任航;陈俊甫;苏品岱;庄惠中;
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申请日2012-11-21
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:43:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-20

授权

授权
2013-07-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20121121

实质审查的生效
2013-06-19

公开

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