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一种类LED结构的太赫兹自振荡源及太赫兹频段发射信号阵列

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本发明涉及一种类LED结构的太赫兹自振荡源,将碰撞雪崩渡越时间二极管IMPATT的PN结管芯与产生太赫兹信号的谐振腔体进行一体化设计，通过微电子工艺组合在一体，设计必要的恒流源激励端口和输出接口，形成一个类似于发光二极管LED结构的太赫兹自振荡信号源，也可以形成太赫兹频段发射信号阵列，用于主被动探测系统的发射源或泵浦信号。该技术可用于太赫兹目标探测雷达、主被动成像和宽带通信等领域。

著录项

公开/公告号CN213936234U

专利类型实用新型
公开/公告日2021-08-10

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子工程研究所;
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申请/专利号CN202022947126.3
发明设计人杨军;李磊;武华锋;
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申请日2020-12-07
分类号H01L47/02(20060101);
代理机构61204 西北工业大学专利中心;
代理人刘新琼
地址 710100 陕西省西安市长安区凤栖东路
入库时间 2022-08-22 23:34:44

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