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HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法

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本发明公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器件α倍的测试辅助器件，α>0且α≠1；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流；将被测HEMT器件的栅泄漏电流乘以α倍与HEMT测试辅助器件栅泄漏电流作差，将结果除以(α‑1)项，得到被测HEMT器件的台面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析栅泄漏电流中台面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。

著录项

公开/公告号CN104062485B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-17

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201410319025.8
发明设计人郑雪峰;范爽;孙伟伟;张建坤;康迪;王冲;杜鸣;曹艳荣;马晓华;郝跃;
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申请日2014-07-04
分类号G01R19/00(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华;朱红星
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 09:45:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-08-11

专利权的转移 IPC(主分类):G01R 19/00 登记生效日:20170725 变更前: 变更后: 申请日:20140704

专利申请权、专利权的转移
2016-08-17

授权

授权
2016-08-17

授权

授权
2014-10-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 19/00 申请日:20140704

实质审查的生效
2014-10-22

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 19/00 申请日:20140704

实质审查的生效
2014-09-24

公开

公开
2014-09-24

公开

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