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N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法

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摘要

本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法，该方法的步骤如下：a）运用硼扩散在N型晶体硅太阳能电池的衬底上形成P型发射结，并且在硼原子推进扩散后，进行氧气气氛的高温处理，其中，氧气流量和炉腔的体积比为0.01~0.15slm/L，温度为800℃~1100℃，时间为5min~60min；b）通过刻蚀方法刻蚀预设的发射结金属化区域，直至高扩散浓度位置，从而形成选择性发射结结构。本发明能够保证N型太阳能选择性发射结结构的金属化区域具有较高的掺杂浓度和非金属化区域具有较低的掺杂浓度，获得良好的发射结钝化和电学接触效果。

著录项

公开/公告号CN104022187B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-17

原文格式PDF
申请/专利权人常州天合光能有限公司;
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申请/专利号CN201410275382.9
发明设计人盛赟;袁声召;王伟;蔡文浩;盛健;张淳;
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申请日2014-06-19
分类号H01L31/18(20060101);
代理机构32225 常州市科谊专利代理事务所;
代理人孙彬
地址 213022 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
入库时间 2022-08-23 09:45:26

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-30

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更前: 变更后: 申请日:20140619

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2018-01-30

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更前: 变更后: 申请日:20140619

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2017-06-09

著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更前: 变更后: 申请日:20140619

著录事项变更
2017-06-09

著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更前: 变更后: 申请日:20140619

著录事项变更
2016-08-17

授权

授权
2016-08-17

授权

授权
2014-10-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20140619

实质审查的生效
2014-10-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20140619

实质审查的生效
2014-09-03

公开

公开
2014-09-03

公开

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