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一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构

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本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。

著录项

公开/公告号CN104267503B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-17

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201410520059.3
发明设计人姚丹阳;张锦川;周予虹;贾志伟;闫方亮;王利军;刘俊岐;刘峰奇;王占国;
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申请日2014-09-30
分类号G02B27/09(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人宋焰琴
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:45:33

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-17

授权

授权
2015-02-04

实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 27/09 申请日:20140930

实质审查的生效
2015-01-07

公开

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